Набиране на средства 15 септември 2024 – 1 октомври 2024 Относно набирането на средства

Тонкие пленки. Взаимная диффузия и реакции

Main
Тонкие пленки. Взаимная диффузия и...

Тонкие пленки. Взаимная диффузия и реакции

Поут Дж., Ту К., Мейер Дж.(Poate J.M., Tu K.N., Mayer J.W.)

0 / 0

Колко ви харесва тази книга?

Какво е качеството на файла?

Изтеглете книгата за оценка на качеството

Какво е качеството на изтеглените файлове?

Година:

1982

Издателство:

Мир

Език:

russian

Страници:

578

Файл:

DJVU, 7.33 MB

IPFS:

,

russian, 1982

Четете Онлайн

Преобразуването в се извършва

Преобразуването в е неуспешно

Може да се интересувате от

— Монокристаллическиые плёнки

Майссел Л., Глэнг Р. — Технология тонких пленок (справочник)

А.П. Зефиров (ред.) — Коррозия металлов (в жидких и газообразных средах)

Мансуров Г.Н., Петрий О.А. — Электроxимия тонкиx металлическиx пленок.

Розенберг Г. — Оптика тонкослойных покрытий

Курносов А. — Технология производства полупроводниковых приборов

Суху Р.(Soohoo R.F.) — Магнитные тонкие пленки

Палатник, Сорокин — Материаловедение в микроэлектронике

Поут Дж.М. (ред) — Модифицирование и легирование поверхности лазерными, ионными и электронными пучками

Фаренбрух, А.Л.;Бьюб, Р.Х. — Солнечные элементы: теория и эксперимент

Романовский М.Н. — Интегральные устройства радиоэлектроники. Часть 1. Основные структуры полупроводниковых интегральных схем

Н. В. Жданова — Микроэлектроника: учебное пособие. Специальность 210100.62 – Электроника и наноэлектроника

Шерняев В.Н. — Физико-химические процессы в производстве РЭА

Майссел Леон, Под редакцией Л.Майссела, Р.Глэнга. Перевод с английского Под редакцией М.И.Елинсона, Г.Г.Смолко. — Технология тонких пленок. Справочник

Майссел Леон, Под редакцией Л.Майссела, Р.Глэнга. Перевод с английского Под редакцией М.И.Елинсона, Г.Г.Смолко. — Технология тонких пленок. Справочник

Фаренбрух А., Бьюб Р. — Солнечные элементы.Теория и эксперимент

А.Фаренбрух А., Бьюб Р. — Солнечные элементы: Теория и эксперимент

Фаренбрух А., Бьюб Р. — Солнечные элементы: Теория и эксперимент

Под ред. Дж.М. Поута и др.; Пер. с англ. Н.К. Мышкина и др.; Под ред. А.А. Углова — Модифицирование и легирование поверхности лазерными, ионными и электронными пучками

Гаврилов Р.А., Скворцов А.М. — Технология производства полупроводниковых приборов

Романовский Е.А., Коваль А.Г., Мельничук И.А., Борисов А.Г., Бажин А.И., Рыжов В.Н., Дробнич В.Г., Медведев С.Ю., Поп С.С., Есаулов В.А., Петухов В.П., Мирахмедов М.Н., Шароди И.С., Бандурин Ю.А., Белых Л.С., Дащенко А.И., Грицына В.В. И др. — Взаимодействие ионов с поверхностью. Материалы XII международной конференции 5-8 октября 1995 г. Том 2

Абелес Ф. — Физика тонких пленок. Современное состояние исследований и технические применения. Т. 6

Бенар Ж. — Окисление металлов т. 1. Теоретические основы

Поут Дж. и др. — Тонкие пленки. Взаимная диффузия и реакции

Романовский М.Н. — Интегральные устройства радиоэлектроники. Часть 1. Основные структуры полупроводниковых интегральных схем

Гурьев А.М., Козлов Э.В., Игнатенко Л.Н., Попова Н.А. — Физические основы термоциклического борирования сталей

Ильин В.И., Мусихин С.Ф., Шик А.Я. — Варизонные полупроводники и гетероструктуры

Данилина Т.И., Смирнова К.И. и др. — Процессы Микро и Нанотехнологии

Захарова И.Б. — Физические основы микро - и нанотехнологий

Рыжиков И.В. — Лекции по технологии микро-электронных устройств

Колобов Н.А., Самохвалов М.М. — Диффузия и окисление полупроводников

Милнс А., Фойхт Д. — Гетеропереходы и переходы металл-полупроводник

Абдуллаев Г.Б., Джафаров Т.Д. — Атомная диффузия в полупроводниковых структурах

Мансуров Г.Н., Петрий О.А. — Электрохимия тонких металлических пленок

Емельянов, В. А. — Лабораторный практикум по дисциплинам «Технология изделий интегральной электроники», «Специальное технологическое оборудование» для студентов специальностей «Проектирование и производство РЭС», «Электронно-оптические системы и технологии». Ч. 2

Най-често използвани термини

диффузии

поверхности

концентрации

рассеяния

обратного

исследования

поверхностных

диффузия

толщиной

распыления

измерения

образования

температуре

зависимость

полупроводник

температурах

силицида

результаты

температуры

коэффициент

активации

контакта

энергией